p-n জাংশনে নিঃশেষিত স্তর (depletion layer) গঠিত হয় যখন p-টাইপ এবং n-টাইপ সেমিকন্ডাক্টরের সংযোগস্থলে মুক্ত ইলেকট্রন এবং হোলগুলি পুনঃসংযুক্ত হয়ে নিস্তেজ হয়ে যায়, ফলে জাংশন বরাবর চার্জহীন আয়নগুলির একটি অঞ্চল তৈরি হয়।
- সম্মুখ ঝোঁক (Forward Bias) প্রয়োগ করলে, এটি অভ্যন্তরীণ বিভব প্রাচীরের (built-in potential barrier) বিরুদ্ধে কাজ করে, যার ফলে নিঃশেষিত স্তরটি সংকীর্ণ হয় (হ্রাস পায়) এবং তড়িৎপ্রবাহ বৃদ্ধি পায়।
- বিমুখী ঝোঁক (Reverse Bias) প্রয়োগ করলে, এটি অভ্যন্তরীণ বিভব প্রাচীরের সাথে যোগ হয়, যার ফলে বিভব প্রাচীর আরও শক্তিশালী হয়। এটি জাংশন থেকে সংখ্যাগরিষ্ঠ আধানবাহকগুলিকে দূরে সরিয়ে দেয় এবং ফলস্বরূপ নিঃশেষিত স্তরটি প্রসারিত হয় (বৃদ্ধি পায়)।
সুতরাং, p-n জাংশনে বিমুখী ঝোঁক প্রদান করলে নিঃশেষিত স্তর বৃদ্ধি পায়।